![CRCW0805270R0JNEA, Резистор толстоплёночный 270 Ом ±5% 125мВт [0805]](https://urstedisukis.beget.app/images/product-placeholder.svg)
CR2512-JW-220R0ELF, Резистор толстоплёночный 220 Ом ±5% 1Вт [2512]
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
CR2512-JW-220R0ELF, Резистор толстоплёночный 220 Ом ±5% 1Вт [2512]
- Бренд:
- BOURNS
- Сопротивление:
- 220 Ом
- Мощность:
- 1 Вт
- Допуск, %:
- 5
- Рабочая температура, мин.:
- -55 °C
- Рабочая температура, макс.:
- 155 °C
- Типоразмер:
- 2512
- Тип монтажа:
- Поверхностный (SMD)
- Номенклатурный номер:
- 9000100964
- Артикул:
- CR2512-JW-220R0ELF
Описание
Толстоплёночный чип-резистор общего применения.
Техническая документация
Технические характеристики
- Бренд
- BOURNS
- Сопротивление
- 220 Ом
- Мощность
- 1 Вт
- Допуск, %
- 5
- Рабочая температура, мин.
- -55 °C
- Рабочая температура, макс.
- 155 °C
- Типоразмер
- 2512
- Тип монтажа
- Поверхностный (SMD)
Ранее просмотренные товары
MAL21502A106M125X11, Конденсатор электролитический алюминиевый 10 мкФ 100 В 105°C [D12.5x11 мм]
CY624096ELL-45ZXI-5, Микросхема памяти SRAM, 512 Кбайт, Параллельный [TSOP-32]
MAL21502A106M125X20, Конденсатор электролитический алюминиевый 10 мкФ 100 В 105°C [D12.5x20 мм]
C0402X5R683K1ET, Конденсатор керамический X5R 68 нФ 25 В ±10% [0402]
![CY624096ELL-45ZXI-4, Микросхема памяти SRAM, 512 Кбайт, Параллельный [TSOP-32]](https://urstedisukis.beget.app/storage/196/conversions/product-2-card.webp)
CY624096ELL-45ZXI-4, Микросхема памяти SRAM, 512 Кбайт, Параллельный [TSOP-32]
VJ0805X7R070K0JT, Конденсатор керамический X7R 6.8 пФ 6.3 В ±10% [0805]
NJX-4000M-20-2, Кварцевый резонатор 4 МГц [HC-49/U]
VJ0402X7R010M1ET, Конденсатор керамический X7R 1 пФ 25 В ±20% [0402]
CR2512-JW-180K0ELF, Резистор толстоплёночный 180 кОм ±5% 1Вт [2512]